Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanaal 360 mW TO-236-3
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-236-3
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Datasheet (PDF)
22140 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 0,25
30
12% = € 0,03
€ 0,22
50
16% = € 0,04
€ 0,21
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 10
Totaal (€ 0,25 / Stuk)
€ 2,50
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Small sign-transistor
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
BSS83P
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-236-3
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
330 mA
- UBR DSS
60 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) referentiestroom
330 mA
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
78 pF
- C(ISS) referentiespanning
25 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Serie
SIPMOS®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
- Bijzonderheden
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanaal 360 mW TO-236-3
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanaal 360 mW TO-236-3