Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datasheet (PDF)
174 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 1,64
10
8% = € 0,13
€ 1,51
25
11% = € 0,18
€ 1,46
50
13% = € 0,22
€ 1,42
100
16% = € 0,26
€ 1,38
250
18% = € 0,30
€ 1,34
500
21% = € 0,35
€ 1,29
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 1,64 / Stuk)
€ 1,64
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF5305PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
31 A
- UBR DSS
55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
16 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) referentiespanning
25 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
55 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- Type
IRF5305PBF
- Behuizing
TO-220AB
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-220AB