Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-kanaal 68 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
68 W
R(DS)(on)
0.1 Ω
Datasheet (PDF)
15 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
3
-
€ 0,93404
9
8% = € 0,08
€ 0,85885
15
11% = € 0,11
€ 0,82878
30
13% = € 0,13
€ 0,80879
60
16% = € 0,15
€ 0,78618
120
19% = € 0,17
€ 0,76115
300
21% = € 0,20
€ 0,73360
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 3
Totaal (€ 0,93404 / Stuk)
€ 2,80
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF9Z34NPBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-19 A
- UBR DSS
-55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
68 W
- R(DS)(on)
0.1 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026262 Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-kanaal 68 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026262 Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-kanaal 68 W TO-220AB
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -19A
Vermogensdissipatie: 68W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 0,1Ω
Montage: THT
Lading op de poort: 23,3nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -19A
Vermogensdissipatie: 68W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 0,1Ω
Montage: THT
Lading op de poort: 23,3nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt