Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
190 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Datasheet (PDF)
177 Stuk(s) (Zolang de voorraad strekt)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 2,31
10
8% = € 0,18
€ 2,13
25
10% = € 0,24
€ 2,07
50
13% = € 0,29
€ 2,02
100
15% = € 0,34
€ 1,97
250
17% = € 0,40
€ 1,91
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 2,31 / Stuk)
€ 2,31
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Unipolaire transistor (MOSFET)
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFB4610PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
73 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
190 W
- R(DS)(on)
14 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
44 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
- Q(G)
140 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
3550 pF
- C(ISS) referentiespanning
50 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
100 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-220AB