Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFB5615PBF MOSFET 1 N-kanaal 144 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
144 W
R(DS)(on)
0.039 Ω
Datasheet (PDF)
970 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 1,64
30
8% = € 0,13
€ 1,51
50
11% = € 0,18
€ 1,46
100
13% = € 0,22
€ 1,42
200
16% = € 0,26
€ 1,38
400
18% = € 0,30
€ 1,34
1000
21% = € 0,35
€ 1,29
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 1,64 / Stuk)
€ 16,40
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
INFI vermogens-MOSFET's IRF_, IRL_ TO220A
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFB5615PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
35 A
- UBR DSS
150 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
144 W
- R(DS)(on)
0.039 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026371 Infineon Technologies IRFB5615PBF MOSFET 1 N-kanaal 144 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026371 Infineon Technologies IRFB5615PBF MOSFET 1 N-kanaal 144 W TO-220AB
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 150V
Drainstroom: 35A
Vermogensdissipatie: 144W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 39mΩ
Montage: THT
Lading op de poort: 26nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: HEXFET®
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 150V
Drainstroom: 35A
Vermogensdissipatie: 144W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 39mΩ
Montage: THT
Lading op de poort: 26nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: HEXFET®