Infineon Technologies IRFR9024NPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 38 W TO-252AA
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-252AA
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
38 W
R(DS)(on)
0.175 Ω
Datasheet (PDF)
25 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
3
-
€ 0,62399
9
8% = € 0,05
€ 0,57376
15
11% = € 0,07
€ 0,55367
30
13% = € 0,08
€ 0,54031
60
16% = € 0,10
€ 0,52521
120
19% = € 0,12
€ 0,50849
300
21% = € 0,13
€ 0,49008
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 3
Totaal (€ 0,62399 / Stuk)
€ 0,91
-31 %
€ 1,87
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRFR
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFR9024NPBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-252AA
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-11 A
- UBR DSS
-55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
38 W
- R(DS)(on)
0.175 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026283 Infineon Technologies IRFR9024NPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 38 W TO-252AA
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026283 Infineon Technologies IRFR9024NPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 38 W TO-252AA
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -11A; 38W; DPAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -11A
Vermogensdissipatie: 38W
Behuizing: DPAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -11A
Vermogensdissipatie: 38W
Behuizing: DPAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt