Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFU120NPBF MOSFET 1 N-kanaal 48 W
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
48 W
R(DS)(on)
0.21 Ω
Montagewijze
Doorvoergat
Datasheet (PDF)
7 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 0,94615
10
8% = € 0,08
€ 0,86998
25
11% = € 0,11
€ 0,83952
50
13% = € 0,13
€ 0,81927
100
16% = € 0,15
€ 0,79637
250
19% = € 0,18
€ 0,77102
500
21% = € 0,20
€ 0,74311
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 0,94615 / Stuk)
€ 0,95
excl. btw
Slechts 7 Stuk(s) beschikbaar
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFU120NPBF
- Soortnaam
MOSFET
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
9.4 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
48 W
- R(DS)(on)
0.21 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026290 Infineon Technologies IRFU120NPBF MOSFET 1 N-kanaal 48 W
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026290 Infineon Technologies IRFU120NPBF MOSFET 1 N-kanaal 48 W
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 100V; 9,1A; 39W; IPAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 100V
Drainstroom: 9,1A
Vermogensdissipatie: 39W
Behuizing: IPAK
Weerstand in geleidingstoestand: 0,21Ω
Montage: THT
Soort kanaal: verrijkt
Lading op de poort: 16,7nC
Gate-source spanning: ±20V
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 100V
Drainstroom: 9,1A
Vermogensdissipatie: 39W
Behuizing: IPAK
Weerstand in geleidingstoestand: 0,21Ω
Montage: THT
Soort kanaal: verrijkt
Lading op de poort: 16,7nC
Gate-source spanning: ±20V