Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Datasheet (PDF)
293 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 4,54
5
7% = € 0,30
€ 4,24
10
9% = € 0,42
€ 4,12
25
11% = € 0,50
€ 4,04
50
13% = € 0,59
€ 3,95
100
15% = € 0,69
€ 3,85
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 4,54 / Stuk)
€ 4,54
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Unipolaire transistor (MOSFET)
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRLB4030PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
180 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
110 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) referentiespanning
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- C(ISS) referentiespanning
50 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB