Infineon Technologies IRLR8726PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 75 W TO-252AA
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-252AA
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
75 W
R(DS)(on)
0.008 Ω
Datasheet (PDF)
33 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
5
-
€ 0,44277
15
9% = € 0,04
€ 0,40243
25
13% = € 0,06
€ 0,38631
50
15% = € 0,07
€ 0,37555
100
18% = € 0,08
€ 0,36347
200
21% = € 0,09
€ 0,35001
500
24% = € 0,11
€ 0,33522
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 5
Totaal (€ 0,44277 / Stuk)
€ 2,21
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRLR8726PBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-252AA
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
86 A
- UBR DSS
30 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
75 W
- R(DS)(on)
0.008 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026314 Infineon Technologies IRLR8726PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 75 W TO-252AA
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026314 Infineon Technologies IRLR8726PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 75 W TO-252AA
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gepulseerde drainstroom: 340A
Vermogensdissipatie: 75W
Polarisatie: unipolair
Technologie: HEXFET®
Drainstroom: 61A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 30V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Behuizing: DPAK
Weerstand in geleidingstoestand: 5,8mΩ
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gepulseerde drainstroom: 340A
Vermogensdissipatie: 75W
Polarisatie: unipolair
Technologie: HEXFET®
Drainstroom: 61A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 30V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Behuizing: DPAK
Weerstand in geleidingstoestand: 5,8mΩ