Laad uw apparaten razendsnel en efficiënt op met de compacte USB-snellader met GaN-techniek, Powe Delivery (PD 30W) en Quick Charge (QC 3.0). Met een totaal vermogen van 30 W voorziet de oplader uw apparaten in een recordtijd van verse energie. En dat bijzonder ruimtebesparend: De snellader is met slechts 1,5 cm breedte ultra plat en neemt daardoor minder ruimte in beslag. Het handzame krachtpatser biedt twee aansluitingen, een moderne USB-C-poort en een beproefde USB-A-poort. Zo kunnen smartphones, tablets en andere gadgets gelijktijdig op de oplader worden aangesloten. Gewoon in het stopcontact steken, met uw laadkabel verbinden en aan de slag! De GaN-technologie garandeert snellere laadtijden, minder warmteontwikkeling, energiebesparing en een compactere constructie. Zowel de Quick Charge (QC 3.0) als Power Power Delivery (PD 30W) technologie maakt een aanzienlijk sneller opladen mogelijk dan met een gewone oplader. Lang wachten behoort daarmee tot het verleden. Dankzij de intelligente spanningsaanpassing wordt bovendien een efficiënt en veilig opladen gegarandeerd. De handige USB-oplader past in elke tas en is daardoor niet alleen ideaal voor thuis of op kantoor, maar ook de perfecte begeleider, zodat u onderweg nooit van het sap afkomt.
Voordelen van Power Power Delivery (PD)
Snellere laadsnelheid - laadt sneller dan gewone opladers
Veelzijdigheid - ideaal voor verschillende apparaten zoals smartphones, tablets en laptops, vervangt meerdere opladers
Het voeren van een protocol - levert altijd de optimale hoeveelheid stroom, voor een veilige en efficiënte oplading
Voordelen van Quick Charge:
Gebruik - speciaal voor apparaten met Qualcomm-processoren en apparaten die de Quick Charge ondersteunen
Intelligente spanningsaanpassing - laadt sneller op dan gewone opladers
Laadvermogen - voor efficiënter opladen van de aangesloten apparaten
Voordelen GaN:
Hoge efficiëntie - efficiëntere spanningsoverdracht en hogere frequenties
Warmteontwikkeling - GaN-opladers produceren minder warmte dan gewone opladers
Constructie - door een hogere spanningsoverdracht en minder warmteontwikkeling kunnen GaN-laadraden kleiner dan tot nu toe worden gebouwd
De teksten voor dit artikel zijn automatisch vertaald.