Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STP60NF10 MOSFET 1 N-kanaal 300 W TO-220
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
300 W
R(DS)(on)
0.023 Ω
Datasheet (PDF)
10 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 2,31
30
8% = € 0,18
€ 2,13
50
10% = € 0,24
€ 2,07
100
13% = € 0,29
€ 2,02
200
15% = € 0,34
€ 1,97
400
17% = € 0,40
€ 1,91
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 2,31 / Stuk)
€ 23,10
excl. btw
Slechts 10 Stuk(s) beschikbaar
Highlights & Details
STP vermogensmodus STP_ TO220
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STP60NF10
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
80 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
300 W
- R(DS)(on)
0.023 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026615 STMicroelectronics STP60NF10 MOSFET 1 N-kanaal 300 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026615 STMicroelectronics STP60NF10 MOSFET 1 N-kanaal 300 W TO-220
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolair; 100V; 66A; 300W
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 100V
Drainstroom: 66A
Vermogensdissipatie: 300W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 23mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: STripFET™ II
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 100V
Drainstroom: 66A
Vermogensdissipatie: 300W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 23mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: STripFET™ II