Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STP6NK60Z MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
1.2 Ω
Datasheet (PDF)
490 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 1,23
10
8% = € 0,10
€ 1,13
25
11% = € 0,14
€ 1,09
50
13% = € 0,16
€ 1,07
100
16% = € 0,20
€ 1,03
250
19% = € 0,23
€ 1,00
500
21% = € 0,26
€ 0,97
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 1,00
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 1,13 / Stuk)
€ 11,30
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STP6NK60Z
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
6 A
- UBR DSS
600 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
1.2 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026617 STMicroelectronics STP6NK60Z MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026617 STMicroelectronics STP6NK60Z MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3; ESD
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 600V
Drainstroom: 3,8A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 1,2Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD
Technologie: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 600V
Drainstroom: 3,8A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 1,2Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD
Technologie: SuperMesh™