Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STP7NK80Z MOSFET 1 N-kanaal 125 W TO-220
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
125 W
R(DS)(on)
1.8 Ω
Datasheet (PDF)
200 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 1,64
30
8% = € 0,13
€ 1,51
50
11% = € 0,18
€ 1,46
100
13% = € 0,22
€ 1,42
200
16% = € 0,26
€ 1,38
400
18% = € 0,30
€ 1,34
1000
21% = € 0,35
€ 1,29
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 1,64 / Stuk)
€ 16,40
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
STP vermogensmodus STP_ TO220
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STP7NK80Z
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
5.2 A
- UBR DSS
800 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
125 W
- R(DS)(on)
1.8 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026619 STMicroelectronics STP7NK80Z MOSFET 1 N-kanaal 125 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026619 STMicroelectronics STP7NK80Z MOSFET 1 N-kanaal 125 W TO-220
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 800V; 3,3A; 125W; TO220-3; ESD
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 800V
Drainstroom: 3,3A
Vermogensdissipatie: 125W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 1,8Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD
Technologie: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 800V
Drainstroom: 3,3A
Vermogensdissipatie: 125W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 1,8Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD
Technologie: SuperMesh™