Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STW20NK50Z MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-247
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-247
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
190 W
R(DS)(on)
0.27 Ω
Datasheet (PDF)
62 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
5
-
€ 3,96
15
7% = € 0,26
€ 3,70
25
9% = € 0,36
€ 3,60
50
11% = € 0,43
€ 3,53
100
13% = € 0,51
€ 3,45
200
15% = € 0,60
€ 3,36
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 5
Meervoud: 5
Totaal (€ 3,96 / Stuk)
€ 19,80
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
STM vermogens-MOSFET's STW_ TO247
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STW20NK50Z
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-247
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
20 A
- UBR DSS
500 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
190 W
- R(DS)(on)
0.27 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026627 STMicroelectronics STW20NK50Z MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-247
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026627 STMicroelectronics STW20NK50Z MOSFET 1 N-kanaal 190 W TO-247
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 500V; 12,6A; 190W; TO247; ESD
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: MDmesh™
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 500V
Drainstroom: 12,6A
Vermogensdissipatie: 190W
Behuizing: TO247
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 0,27Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: MDmesh™
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 500V
Drainstroom: 12,6A
Vermogensdissipatie: 190W
Behuizing: TO247
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 0,27Ω
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Versie: ESD