Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IKW25N120T2FKSA1 IGBT TO-247 1200 V Tube
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Verpakkingswijze
Tube
Soortnaam
IGBT
Behuizingssoort
TO-247
Collectorstroom I(C)
50 A
Montagewijze
Doorvoergat
Datasheet (PDF)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 14,87
3
5% = € 0,74
€ 14,13
5
7% = € 1,04
€ 13,83
10
8% = € 1,23
€ 13,64
25
10% = € 1,45
€ 13,42
50
11% = € 1,70
€ 13,17
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 14,87 / Stuk)
€ 14,87
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
INFINEON IGBTS IGW_, IGZ_, IKW_, IKZ_ TO
Extra services en acties
Technische specificaties
- (UGE(th)) Gate emitter drempelspanning: 5,8 V
- (ICpuls) gepulste collector-stroom: 100 A.
Tube
- Type
IKW25N120T2FKSA1
- Soortnaam
IGBT
- Behuizingssoort
TO-247
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Minimale doorlaatspanning U(CES)
1200 V
- Collectorstroom I(C)
50 A
- Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
27 ns
- Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
265 ns
- Montagewijze
Doorvoergat
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3027156 Infineon Technologies IKW25N120T2FKSA1 IGBT TO-247 1200 V Tube
Omschrijving
Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 349W; TO247-3
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: IGBT
Collector-emitterspanning: 1,2kV
Stroom van de collector: 50A
Vermogensdissipatie: 349W
Behuizing: TO247-3
Spanning poort - verzender: ±20V
Stroom van collector in impuls: 100A
Montage: THT
Lading op de poort: 0,12µC
Soort verpakking: buis
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders: integrated anti-parallel diode
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: IGBT
Collector-emitterspanning: 1,2kV
Stroom van de collector: 50A
Vermogensdissipatie: 349W
Behuizing: TO247-3
Spanning poort - verzender: ±20V
Stroom van collector in impuls: 100A
Montage: THT
Lading op de poort: 0,12µC
Soort verpakking: buis
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders: integrated anti-parallel diode