Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-252AA
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-252AA
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Datasheet (PDF)
56 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
3
-
€ 1,09797
9
8% = € 0,09
€ 1,00958
15
11% = € 0,12
€ 0,97422
30
13% = € 0,15
€ 0,95073
60
16% = € 0,17
€ 0,92416
120
19% = € 0,20
€ 0,89474
300
21% = € 0,24
€ 0,86235
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 3
Totaal (€ 1,09797 / Stuk)
€ 3,29
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRFR
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFR5305PBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-252AA
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-31 A
- UBR DSS
-55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-252AA
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 110 W TO-252AA
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -28A; 89W; DPAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -28A
Vermogensdissipatie: 89W
Behuizing: DPAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -28A
Vermogensdissipatie: 89W
Behuizing: DPAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt