Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel kopen ? Conrad Electronic

Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel-0

Verpakkingswijze

Tape on Full reel

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SOIC-8

Uitvoering

N-kanaal

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

1.78 W

Datasheet (PDF)

Onbekende levertijd

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Min.: 50

Meervoud: 50

Tape on Full reel
Stuk(s) (Inhoud: )

Totaal (€ 0,8043 / Stuk)

€ 40,22

excl. btw

Incl. 14 dagen retourrecht

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

MOSFET

Extra services en acties

Technische specificaties

: Tape on Full reel

Type: SI4532CDY-T1-GE3

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: SOIC-8

Fabrikant: Vishay

Uitvoering: N-kanaal
P-kanaal

I(d): 6 A

UBR DSS: 30 V

Vermogen (max.) P(TOT): 1.78 W

R(DS)(on): 0.14 Ω

Bedrijfstemperatuur (min.): -55 °C

Montagewijze: Oppervlakmontage

Bedrijfstemperatuur (max.): 150 °C

Kanalen: 2

Inhoud: 1 stuk(s)

Hoogte: 0.00 mm

: 0 mm

Breedte: 0.00 mm

Gewicht: 0

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel

Omschrijving

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; 30/-30V; 4,9/-3,4A
Producent: VISHAY
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Vermogensdissipatie: 1,78W
Lading op de poort: 9/12nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: 4,9/-3,4A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 30/-30V
Type transistor: N/P-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Soort verpakking: band, rol
Weerstand in geleidingstoestand: 47/89mΩ