Afbeelding vergelijkbaar
Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
PowerQFN 5x6
Vermogen (max.) P(TOT)
5 W
Montagewijze
Oppervlakmontage
U(DSS)
100 V
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Aantal
Min.: 5000
Meervoud: 5000
Totaal (€ 1,79 / Stuk)
€ 1,79
incl. btw
Gratis verzending*
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
DI100N10PQ
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
PowerQFN 5x6
- Fabrikant
Diotec
- I(d)
80 A
- Vermogen (max.) P(TOT)
5 W
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
150 °C
- U(DSS)
100 V
- Conform RoHS
Ja
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 2809605 Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 2809605 Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Behuizing: QFN5x6
Montage: SMD
Soort verpakking: band, rol
Gepulseerde drainstroom: 480A
Vermogensdissipatie: 60W
Lading op de poort: 75nC
Polarisatie: unipolair
Drainstroom: 50A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 100V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 6,6mΩ
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Behuizing: QFN5x6
Montage: SMD
Soort verpakking: band, rol
Gepulseerde drainstroom: 480A
Vermogensdissipatie: 60W
Lading op de poort: 75nC
Polarisatie: unipolair
Drainstroom: 50A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 100V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 6,6mΩ
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
