Infineon Technologies IKW40N65ES5XKSA1 IGBT TO-247 650 V Tube kopen ? Conrad Electronic

Vermogenstransistor met drie metalen poten onderaan, zwarte behuizing bovenaan. Tekst op de behuizing: 'G4PC40UD IZR223L 1339'.

Afbeelding vergelijkbaar

Verpakkingswijze

Tube

Soortnaam

IGBT

Behuizingssoort

TO-247

Collectorstroom I(C)

79 A

Montagewijze

Doorvoergat

Datasheet (PDF)

Leverbaar vr. 25 sep.

160 Stuk(s)

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Min.: 5

Meervoud: 5

Totaal (€ 5,78 / Stuk)

€ 28,90

excl. btw

Incl. 14 dagen retourrecht

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

IGBT

Extra services en acties

Technische specificaties

(UGE(th)) Gate emitter drempelspanning: 4,0 V
(ICpuls) gepulste collector-stroom: 160 A.

: Tube

Type: IKW40N65ES5XKSA1

Soortnaam: IGBT

Behuizingssoort: TO-247

Fabrikant: Infineon Technologies

Minimale doorlaatspanning U(CES): 650 V

Collectorstroom I(C): 79 A

Inschakelvertragingstijd t(d)(on): 19 ns

Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2): 130 ns

Montagewijze: Doorvoergat

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3027195 Infineon Technologies IKW40N65ES5XKSA1 IGBT TO-247 650 V Tube

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3027195 Infineon Technologies IKW40N65ES5XKSA1 IGBT TO-247 650 V Tube

Omschrijving

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: IGBT
Technologie: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitterspanning: 650V
Stroom van de collector: 50A
Vermogensdissipatie: 115W
Behuizing: TO247-3
Spanning poort - verzender: ±20V
Stroom van collector in impuls: 160A
Montage: THT
Lading op de poort: 95nC
Soort verpakking: buis
Aansluitingstijd: 37ns
Ontkoppelingstijd: 153ns
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders: integrated anti-parallel diode