Infineon Technologies IRF3205ZSPBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 170 W D2PAK
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
D2PAK
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
0.0065 Ω
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
30 Stuk(s)
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 1
Totaal (€ 1,79 / Stuk)
€ 1,79
incl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF3205ZSPBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
D2PAK
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
75 A
- UBR DSS
55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
0.0065 Ω
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026224 Infineon Technologies IRF3205ZSPBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 170 W D2PAK
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026224 Infineon Technologies IRF3205ZSPBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 170 W D2PAK
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 55V
Drainstroom: 78A
Vermogensdissipatie: 170W
Behuizing: D2PAK
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 6,5mΩ
Montage: SMD
Lading op de poort: 110nC
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Gepulseerde drainstroom: 440A
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 55V
Drainstroom: 78A
Vermogensdissipatie: 170W
Behuizing: D2PAK
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 6,5mΩ
Montage: SMD
Lading op de poort: 110nC
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Gepulseerde drainstroom: 440A
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
