Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W D2PAK
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
D2PAK
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datasheet (PDF)
568 Stuk(s) (Zolang de voorraad strekt)
Aantal
Totaal (€ 0,78 / Stuk)
€ 0,78
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Mosfet (Hexfet/Fetky)
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF3710SPBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
D2PAK
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
28 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
3130 pF
- C(ISS) referentiespanning
25 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
100 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- Uitvoering
HEXFET
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W D2PAK
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W D2PAK