Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.4 W SO-8
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SO-8
Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
6 Stuk(s)
Aantal
Min.: 3
Meervoud: 1
Totaal (€ 0,89569 / Stuk)
€ 0,90
incl. btw
Slechts 6 Stuk(s) beschikbaar
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF7309PBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SO-8
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
- I(d)
4 A
- UBR DSS
30 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Kanalen
2
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026239 Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.4 W SO-8
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026239 Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal, P-kanaal 1.4 W SO-8
Omschrijving
Transistor: N/P-MOSFET; unipolair; 30/-30V; 4/-3A; 1,4W; SO8
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N/P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 30/-30V
Drainstroom: 4/-3A
Vermogensdissipatie: 1,4W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Weerstand in geleidingstoestand: 0,05/0,1Ω
Gate-source spanning: ±20V
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N/P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 30/-30V
Drainstroom: 4/-3A
Vermogensdissipatie: 1,4W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Weerstand in geleidingstoestand: 0,05/0,1Ω
Gate-source spanning: ±20V
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
