Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-kanaal, P-kanaal 900 mW SOIC-8
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SOIC-8
Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
16 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 1,07
10
8% = € 0,09
€ 0,98
25
12% = € 0,13
€ 0,94
50
13% = € 0,14
€ 0,93
100
16% = € 0,17
€ 0,90
250
19% = € 0,20
€ 0,87
500
22% = € 0,24
€ 0,83
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 1,07 / Stuk)
€ 1,07
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
FDS8858CZ
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SOIC-8
- Fabrikant
ON Semiconductor
OnS
- Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
- I(d)
8.6 A
7.3 A
- UBR DSS
30 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
900 mW
- R(DS)(on)
17 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
8.6 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
24 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
1205 pF
- C(ISS) referentiespanning
15 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Serie
PowerTrench®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
- Bijzonderheden
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-kanaal, P-kanaal 900 mW SOIC-8