Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Verpakkingswijze
Tape on Full reel
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SOIC-8
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
5 W
Datasheet (PDF)
2350 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
50
-
€ 0,55793
150
8% = € 6,74
€ 0,51302
250
11% = € 15,72
€ 0,49505
500
13% = € 37,41
€ 0,48311
1000
16% = € 88,33
€ 0,46960
2000
19% = € 206,56
€ 0,45465
5000
21% = € 598,65
€ 0,43820
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 50
Meervoud: 50
Tape on Full reel
Stuk(s) (Inhoud: )
Stuk(s) (Inhoud: )
Totaal (€ 0,55793 / Stuk)
€ 27,90
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Vishay SMD-vermogens-MOSFET's SI_Y-GE3 ZO
Extra services en acties
Technische specificaties
Tape on Full reel
- Type
SI4435DDY-T1-GE3
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SOIC-8
- Fabrikant
Vishay
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-11.4 A
- UBR DSS
-30 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
5 W
- R(DS)(on)
0.035 Ω
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
150 °C
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- Hoogte
0.00 mm
0 mm
- Breedte
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026542 Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026542 Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; -30V; -6,5A; Idm: -50A
Producent: VISHAY
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: TrenchFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -30V
Drainstroom: -6,5A
Vermogensdissipatie: 3,2W
Behuizing: SO8
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 35mΩ
Montage: SMD
Lading op de poort: 50nC
Soort verpakking: band, rol
Soort kanaal: verrijkt
Gepulseerde drainstroom: -50A
Producent: VISHAY
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: TrenchFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -30V
Drainstroom: -6,5A
Vermogensdissipatie: 3,2W
Behuizing: SO8
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 35mΩ
Montage: SMD
Lading op de poort: 50nC
Soort verpakking: band, rol
Soort kanaal: verrijkt
Gepulseerde drainstroom: -50A
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,55*
Vergelijkbare artikelen
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)
-31%
Conrad Electronic
€ 2,72
€ 1,89*
