Vishay SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.4 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Verpakkingswijze
Tape on Full reel
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SOIC-8
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
2.4 W
Datasheet (PDF)
2100 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
50
-
€ 0,85904
150
8% = € 10,37
€ 0,78989
250
11% = € 24,20
€ 0,76223
500
13% = € 57,60
€ 0,74384
1000
16% = € 135,98
€ 0,72306
2000
19% = € 318,02
€ 0,70003
5000
21% = € 921,75
€ 0,67469
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 50
Meervoud: 50
Tape on Full reel
Stuk(s) (Inhoud: )
Stuk(s) (Inhoud: )
Totaal (€ 0,85904 / Stuk)
€ 42,95
excl. btw
Gratis verzending*
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Vishay SMD-vermogens-MOSFET's SI_Y-GE3 ZO
Extra services en acties
Technische specificaties
Tape on Full reel
- Type
SI4948BEY-T1-GE3
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SOIC-8
- Fabrikant
Vishay
- Uitvoering
P-kanaal
- Vermogen (max.) P(TOT)
2.4 W
- R(DS)(on)
0.15 Ω
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
175 °C
- Kanalen
2
- Inhoud
1 stuk(s)
- Hoogte
0.00 mm
0 mm
- Breedte
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026484 Vishay SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.4 W SOIC-8 Tape on Full reel
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026484 Vishay SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.4 W SOIC-8 Tape on Full reel
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolair; -60V; -2,4A; 0,95W
Producent: VISHAY
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Vermogensdissipatie: 0,95W
Lading op de poort: 22nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -2,4A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -60V
Type transistor: P-MOSFET x2
Gate-source spanning: ±20V
Soort verpakking: band, rol
Weerstand in geleidingstoestand: 0,15Ω
Gepulseerde drainstroom: -25A
Producent: VISHAY
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Vermogensdissipatie: 0,95W
Lading op de poort: 22nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -2,4A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -60V
Type transistor: P-MOSFET x2
Gate-source spanning: ±20V
Soort verpakking: band, rol
Weerstand in geleidingstoestand: 0,15Ω
Gepulseerde drainstroom: -25A
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,55*
Vergelijkbare artikelen
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)
-31%
Conrad Electronic
€ 2,72
€ 1,89*
