Vishay SI7149ADP-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 48 W PowerPAK-SO-8 Tape on Full reel
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Verpakkingswijze
Tape on Full reel
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
PowerPAK-SO-8
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
48 W
Datasheet (PDF)
15600 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
25
-
€ 0,80279
75
8% = € 4,85
€ 0,73817
125
11% = € 11,31
€ 0,71232
250
13% = € 26,91
€ 0,69514
500
16% = € 63,54
€ 0,67571
1000
19% = € 148,59
€ 0,65420
2500
21% = € 430,70
€ 0,63051
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 25
Meervoud: 25
Tape on Full reel
Stuk(s) (Inhoud: )
Stuk(s) (Inhoud: )
Totaal (€ 0,80279 / Stuk)
€ 20,07
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Vishay SMD-vermogensMOSFET's SI_DP-GE3 P
Extra services en acties
Technische specificaties
Tape on Full reel
- Type
SI7149ADP-T1-GE3
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
PowerPAK-SO-8
- Fabrikant
Vishay
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-50 A
- UBR DSS
-30 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
48 W
- R(DS)(on)
0.0095 Ω
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
150 °C
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- Hoogte
0.00 mm
0 mm
- Breedte
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026485 Vishay SI7149ADP-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 48 W PowerPAK-SO-8 Tape on Full reel
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026485 Vishay SI7149ADP-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanaal 48 W PowerPAK-SO-8 Tape on Full reel
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; -30V; -50A; 31W
Producent: VISHAY
Behuizing: PowerPAK® SO8
Montage: SMD
Vermogensdissipatie: 31W
Lading op de poort: 43,1nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -50A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -30V
Type transistor: P-MOSFET
Gate-source spanning: ±25V
Soort verpakking: band, rol
Weerstand in geleidingstoestand: 9,5mΩ
Producent: VISHAY
Behuizing: PowerPAK® SO8
Montage: SMD
Vermogensdissipatie: 31W
Lading op de poort: 43,1nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -50A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -30V
Type transistor: P-MOSFET
Gate-source spanning: ±25V
Soort verpakking: band, rol
Weerstand in geleidingstoestand: 9,5mΩ
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,55*
Vergelijkbare artikelen
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)
-31%
Conrad Electronic
€ 2,72
€ 1,89*
