Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Verpakkingswijze
Tape on Full reel
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SOIC-8
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
2.0 W
Datasheet (PDF)
4550 Stuk(s)
Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
50
-
€ 0,58689
150
8% = € 7,09
€ 0,53964
250
11% = € 16,54
€ 0,52075
500
13% = € 39,35
€ 0,50819
1000
16% = € 92,91
€ 0,49398
2000
19% = € 217,26
€ 0,47826
5000
21% = € 629,75
€ 0,46094
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 50
Meervoud: 50
Tape on Full reel
Stuk(s) (Inhoud: )
Stuk(s) (Inhoud: )
Totaal (€ 0,58689 / Stuk)
€ 29,34
excl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Vishay SMD-vermogens-MOSFET's SI_Y-GE3 ZO
Extra services en acties
Technische specificaties
Tape on Full reel
- Type
SI9933CDY-T1-GE3
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SOIC-8
- Fabrikant
Vishay
- Uitvoering
P-kanaal
- Vermogen (max.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.094 Ω
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
175 °C
- Kanalen
2
- Inhoud
1 stuk(s)
- Hoogte
0.00 mm
0 mm
- Breedte
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolair; -20V; -4A; 3,1W
Producent: VISHAY
Vermogensdissipatie: 3,1W
Lading op de poort: 26nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -4A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -20V
Type transistor: P-MOSFET x2
Gate-source spanning: ±12V
Soort verpakking: band, rol
Behuizing: SO8
Weerstand in geleidingstoestand: 94mΩ
Montage: SMD
Gepulseerde drainstroom: -20A
Producent: VISHAY
Vermogensdissipatie: 3,1W
Lading op de poort: 26nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: TrenchFET®
Drainstroom: -4A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: -20V
Type transistor: P-MOSFET x2
Gate-source spanning: ±12V
Soort verpakking: band, rol
Behuizing: SO8
Weerstand in geleidingstoestand: 94mΩ
Montage: SMD
Gepulseerde drainstroom: -20A
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,55*
Vergelijkbare artikelen
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)
-31%
Conrad Electronic
€ 2,72
€ 1,89*
