Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF2807PBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
0.013 Ω
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
39 Stuk(s)
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 1
Totaal (€ 2,79 / Stuk)
€ 2,79
incl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
INFI vermogens-MOSFET's IRF_, IRL_ TO220A
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF2807PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
82 A
- UBR DSS
75 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
0.013 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026221 Infineon Technologies IRF2807PBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026221 Infineon Technologies IRF2807PBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 75V
Drainstroom: 82A
Vermogensdissipatie: 200W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 13mΩ
Montage: THT
Lading op de poort: 106,7nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 75V
Drainstroom: 82A
Vermogensdissipatie: 200W
Behuizing: TO220AB
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 13mΩ
Montage: THT
Lading op de poort: 106,7nC
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
