Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-kanaal 375 W TO-220AB
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
0.0026 Ω
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
150 Stuk(s)
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 3,79 / Stuk)
€ 37,90
incl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFB7730PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
195 A
- UBR DSS
75 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
0.0026 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026372 Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-kanaal 375 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026372 Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-kanaal 375 W TO-220AB
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; unipolair; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 75V
Drainstroom: 246A
Vermogensdissipatie: 375W
Behuizing: TO220AB
Weerstand in geleidingstoestand: 2,2mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: HEXFET®
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 75V
Drainstroom: 246A
Vermogensdissipatie: 375W
Behuizing: TO220AB
Weerstand in geleidingstoestand: 2,2mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: HEXFET®
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
