Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STP150N10F7 MOSFET 1 N-kanaal 250 W TO-220
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
250 W
R(DS)(on)
0.0042 Ω
Datasheet (PDF)
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
210 Stuk(s)
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 3,29 / Stuk)
€ 32,90
incl. btw
Incl. 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STP150N10F7
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
110 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
250 W
- R(DS)(on)
0.0042 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026595 STMicroelectronics STP150N10F7 MOSFET 1 N-kanaal 250 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026595 STMicroelectronics STP150N10F7 MOSFET 1 N-kanaal 250 W TO-220
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolair; 100V; 110A; 250W
Producent: STMicroelectronics
Soort verpakking: buis
Behuizing: TO220-3
Weerstand in geleidingstoestand: 4,2mΩ
Montage: THT
Gepulseerde drainstroom: 440A
Vermogensdissipatie: 250W
Lading op de poort: 117nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: STripFET™ F7
Drainstroom: 110A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 100V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Producent: STMicroelectronics
Soort verpakking: buis
Behuizing: TO220-3
Weerstand in geleidingstoestand: 4,2mΩ
Montage: THT
Gepulseerde drainstroom: 440A
Vermogensdissipatie: 250W
Lading op de poort: 117nC
Polarisatie: unipolair
Technologie: STripFET™ F7
Drainstroom: 110A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 100V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Conrad Electronic
€ 0,66*
